IQDH29NE2LM5CGATMA1

Номер детали производителя	IQDH29NE2LM5CGATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Упаковка	PG-TTFN-9-U02
В наличии	53513 pcs
Техническая спецификация

Справочная цена (В долларах США)

1	10	25	100	250	500	1000
$1.378	$1.238	$1.17	$1.014	$0.962	$0.863	$0.772

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 53513 Infineon Technologies IQDH29NE2LM5CGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 1.448mA
Vgs (макс.)	±16V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TTFN-9-U02
Серии	OptiMOS™ 5
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.29mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	2.5W (Ta), 278W (Tc)
Упаковка /	9-PowerTDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	17000 pF @ 12 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	254 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	75A (Ta), 789A (Tc)
Базовый номер продукта	IQDH29