IQD016N08NM5CGATMA1
Номер детали производителя | IQD016N08NM5CGATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR |
Упаковка | PG-TTFN-9-U02 |
В наличии | 39258 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.718 | $1.543 | $1.458 | $1.264 | $1.199 | $1.076 | $0.963 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 39258 Infineon Technologies IQD016N08NM5CGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 159µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TTFN-9-U02 |
Серии | OptiMOS™ 5 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.57mOhm @ 50A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta), 333W (Tc) |
Упаковка / | 9-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 9200 pF @ 40 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 133 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Ta), 323A (Tc) |
Базовый номер продукта | IQD016 |
Рекомендуемые продукты
-
IQDH35N03LM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTORInfineon Technologies -
IQD009N06NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTORInfineon Technologies -
IQDH45N04LM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTORInfineon Technologies -
IRFR3711ZTR
MOSFET N-CH 20V 93A DPAKInfineon Technologies -
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
IPA65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220Infineon Technologies -
IQD16020
I/Q PHASE DETECTORL3 Narda-MITEQ -
FQD12N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
IXFH270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO247IXYS -
IQD020N10NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTORInfineon Technologies -
DMN2053UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&RDiodes Incorporated -
IQD005N04NM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTORInfineon Technologies -
AUIRLR3915
MOSFET N-CH 55V 30A DPAKInfineon Technologies -
FDP8441_F085
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3onsemi -
IPP070N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3Infineon Technologies -
IQDH29NE2LM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTORInfineon Technologies -
2N7002LT1
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3onsemi -
IRF7475TRPBF
MOSFET N-CH 12V 11A 8SOInfineon Technologies -
IQDD16020
MIXERL3 Narda-MITEQ -
IXFX20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3IXYS