Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPP096N03LGHKSA1
Infineon Technologies

IPP096N03LGHKSA1

Номер детали производителя IPP096N03LGHKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO220-3-1
В наличии 287968 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
831
$0.143
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 287968 Infineon Technologies IPP096N03LGHKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO220-3-1
Серии OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 42W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1600 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPP096N03LGHKSA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IPP096N03LGHKSA1

Связанные детали для IPP096N03LGHKSA1