IPP086N10N3GXKSA1
| Номер детали производителя | IPP086N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 |
| Упаковка | PG-TO220-3 |
| В наличии | 114999 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev A/T 26/Apr/2021Mult Dev EOL 20/Oct/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.754 | $0.676 | $0.544 | $0.447 | $0.37 | $0.345 | $0.332 | $0.323 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 114999 Infineon Technologies IPP086N10N3GXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO220-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPP086 |
Рекомендуемые продукты
-
IPP096N03L G
MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3Infineon Technologies -
IPP08CNE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPP085N06LGAKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220Infineon Technologies -
IPP086N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3Infineon Technologies -
IPP086N10N3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Infineon Technologies -
IPP086N10N3
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPP08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A TO220-3Infineon Technologies -
IPP083N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3Infineon Technologies -
IPP084N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Infineon Technologies -
IPP093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Infineon Technologies -
IPP085N06LGIN
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPP082N10NF2SAKMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPP09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3Infineon Technologies -
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3Infineon Technologies -
IPP084N06L3GXK
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPP08CN10L G
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3Infineon Technologies -
IPP093N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Infineon Technologies -
IPP096N03LGHKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPP084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Infineon Technologies -
IPP100N04S204AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3Infineon Technologies