Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPI200N25N3GAKSA1
Infineon Technologies

IPI200N25N3GAKSA1

Номер детали производителя IPI200N25N3GAKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
Упаковка PG-TO262-3
В наличии 6233 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev EOL 23/Sep/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6233 Infineon Technologies IPI200N25N3GAKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7100 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 64A (Tc)
Базовый номер продукта IPI200

Рекомендуемые продукты

IPI200N25N3GAKSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPI200N25N3GAKSA1

Связанные детали для IPI200N25N3GAKSA1