IPI180N10N3GXKSA1
| Номер детали производителя | IPI180N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 |
| Упаковка | PG-TO262-3 |
| В наличии | 88157 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Subcontact Chg 21/Dec/2017 |
Справочная цена (В долларах США)
| 500 |
|---|
| $0.42 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 88157 Infineon Technologies IPI180N10N3GXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO262-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 71W (Tc) |
| Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 43A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPI180 |
Рекомендуемые продукты
-
IPI12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3Infineon Technologies -
IPI139N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3Infineon Technologies -
IPI126N10N3GXKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI22N03S4L-15
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI200N15N3 G
MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3Infineon Technologies -
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3Infineon Technologies -
IPI200N25N3GAKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3Infineon Technologies -
IPI144N12N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI320N203G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3Infineon Technologies -
IPI12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3Infineon Technologies -
IPI16CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3Infineon Technologies -
IPI14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3Infineon Technologies -
IPI26CN10N G
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3Infineon Technologies -
IPI22N03S4L15AKSA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3Infineon Technologies -
IPI25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3Infineon Technologies -
IPI147N12N3G
IPI147N12 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPI16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3Infineon Technologies -
IPI26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3Infineon Technologies -
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3Infineon Technologies