Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPI111N15N3GAKSA1
Infineon Technologies

IPI111N15N3GAKSA1

Номер детали производителя IPI111N15N3GAKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Упаковка PG-TO262-3
В наличии 31855 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMultiple Changes 09/Jul/2014IPI111N15N3 Marking Chg 29/Aug/2019
Справочная цена (В долларах США)
500
$1.239
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 31855 Infineon Technologies IPI111N15N3GAKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 160µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 83A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 214W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3230 pF @ 75 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 83A (Tc)
Базовый номер продукта IPI111

Рекомендуемые продукты

IPI111N15N3GAKSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPI111N15N3GAKSA1

Связанные детали для IPI111N15N3GAKSA1