Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IMZA65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies

IMZA65R083M1HXKSA1

Номер детали производителя IMZA65R083M1HXKSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Упаковка PG-TO247-4-3
В наличии 15310 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$4.621 $4.248 $3.588 $3.191 $2.927
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 15310 Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.7V @ 3.3mA
Vgs (макс.) +20V, -2V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO247-4-3
Серии CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 111mOhm @ 11.2A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 104W (Tc)
Упаковка / TO-247-4
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 624 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 19 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 26A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IMZA65R083M1HXKSA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IMZA65R083M1HXKSA1

Связанные детали для IMZA65R083M1HXKSA1