IMZA65R027M1HXKSA1
| Номер детали производителя | IMZA65R027M1HXKSA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| Упаковка | PG-TO247-4-3 |
| В наличии | 6877 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $9.464 | $8.73 | $7.455 | $6.768 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6877 Infineon Technologies IMZA65R027M1HXKSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5.7V @ 11mA |
| Vgs (макс.) | +23V, -5V |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO247-4-3 |
| Серии | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 38.3A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 189W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-4 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2131 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 59A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IMZA65 |
Рекомендуемые продукты
-
IMZA65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZA65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMZ9972BA
IMZ9972BACypress Semiconductor Corp -
IMZA120R007M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4Infineon Technologies -
IMZ120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4Infineon Technologies -
IMZ2AT108
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZ2A_R1_00001
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc. -
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMZ1AT108
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZA120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZA65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZ4T108
TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMTRohm Semiconductor -
IMZA65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZA120R020M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZA65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMZA65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMZ1AS-AU_S1_000A1
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc. -
IMZA120R040M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMZ1AS_S1_00001
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOPanjit International Inc.