Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies

IMBG65R072M1HXTMA1

Номер детали производителя IMBG65R072M1HXTMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Упаковка PG-TO263-7-12
В наличии 11379 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$4.443 $4.014 $3.323 $2.894
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 11379 Infineon Technologies IMBG65R072M1HXTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.7V @ 4mA
Vgs (макс.) +23V, -5V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-7-12
Серии CoolSIC™ M1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 13.3A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 140W (Tc)
Упаковка / TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 744 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 22 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 33A (Tc)
Базовый номер продукта IMBG65R

Рекомендуемые продукты

IMBG65R072M1HXTMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для IMBG65R072M1HXTMA1

Связанные детали для IMBG65R072M1HXTMA1