Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies

IMBG120R045M1HXTMA1

Номер детали производителя IMBG120R045M1HXTMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Упаковка PG-TO263-7-12
В наличии 8347 pcs
Техническая спецификация Mult Dev DC Chg 5/May/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$7.948 $7.305 $6.17 $5.489
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 8347 Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.7V @ 7.5mA
Vgs (макс.) +18V, -15V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-7-12
Серии CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 16A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 227W (Tc)
Упаковка / TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1527 pF @ 800 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 46 nC @ 18 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 47A (Tc)
Базовый номер продукта IMBG120

Рекомендуемые продукты

IMBG120R045M1HXTMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IMBG120R045M1HXTMA1

Связанные детали для IMBG120R045M1HXTMA1