Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FS50R12W1T7B11BOMA1
Infineon Technologies

FS50R12W1T7B11BOMA1

Номер детали производителя FS50R12W1T7B11BOMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE LOW POWER EASY
Упаковка Module
В наличии 2098 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Solder Chgs 9/Mar/2023Mult Dev A/T Chgs 1/Jul/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 24 96
$22.997 $20.907 $19.374
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 2098 Infineon Technologies FS50R12W1T7B11BOMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic -
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии -
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C
NTC термистора No
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 11.1 nF @ 25 V
вход -
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 7.9 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A
конфигурация -
Базовый номер продукта FS50R12

Рекомендуемые продукты

FS50R12W1T7B11BOMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация