Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > FS50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies

FS50R07N2E4BOSA1

Номер детали производителя FS50R07N2E4BOSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE 650V 70A 190W
Упаковка Module
В наличии 6762 pcs
Техническая спецификация FS50R07N2E4Mult Dev EOL 3/Jul/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6762 Infineon Technologies FS50R07N2E4BOSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 650 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 1.95V @ 15V, 50A
Поставщик Упаковка устройства Module
Серии EconoPACK™ 2
Мощность - Макс 190 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
NTC термистора Yes
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.1 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 70 A
конфигурация Full Bridge Inverter
Базовый номер продукта FS50R07

Рекомендуемые продукты

FS50R07N2E4BOSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FS50R07N2E4BOSA1

Связанные детали для FS50R07N2E4BOSA1