Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Infineon Technologies

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Номер детали производителя DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание LOW POWER EASY
Упаковка AG-EASY1B
В наличии 631 pcs
Техническая спецификация DF8MR12W1M1HF_B67~
Справочная цена (В долларах США)
1
$57.808
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 631 Infineon Technologies DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.15V @ 20mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства AG-EASY1B
Серии EasyPACK™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 50A, 18V
Мощность - Макс 20mW
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4400pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 149nC @ 18V
FET Характеристика Silicon Carbide (SiC)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 45A
конфигурация 2 N-Channel
Базовый номер продукта DF8MR12

Рекомендуемые продукты

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Связанные детали для DF8MR12W1M1HFB67BPSA1