Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > DF80R12W2H3B11BOMA1
Infineon Technologies

DF80R12W2H3B11BOMA1

Номер детали производителя DF80R12W2H3B11BOMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание IGBT MODULE
Упаковка Module
В наличии 2979 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
8
$13.726
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 2979 Infineon Technologies DF80R12W2H3B11BOMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 1.7V @ 15V, 20A
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Мощность - Макс 190 W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 2.35 nF @ 25 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1 mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A
конфигурация Dual Boost Chopper

Рекомендуемые продукты

DF80R12W2H3B11BOMA1 DataSheet PDF