Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSF110N06NT3GXUMA1
Infineon Technologies

BSF110N06NT3GXUMA1

Номер детали производителя BSF110N06NT3GXUMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка MG-WDSON-2
В наличии 235512 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
649
$0.177
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 235512 Infineon Technologies BSF110N06NT3GXUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 33µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства MG-WDSON-2
Серии OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 38W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric ST
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3700 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 47A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSF110N06NT3GXUMA1 DataSheet PDF