Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSF050N03LQ3G
Infineon Technologies

BSF050N03LQ3G

Номер детали производителя BSF050N03LQ3G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка MG-WDSON-2
В наличии 232324 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
770
$0.15
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 232324 Infineon Technologies BSF050N03LQ3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства MG-WDSON-2
Серии OptiMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.2W (Ta), 28W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric MX
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3000 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Ta), 60A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSF050N03LQ3G DataSheet PDF

Ключевые слова для BSF050N03LQ3G

Связанные детали для BSF050N03LQ3G