Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies

BSC0502NSIATMA1

Номер детали производителя BSC0502NSIATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-6
В наличии 126975 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Wafer Chgs 29/Dec/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.629 $0.562 $0.438 $0.362 $0.286 $0.267
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 126975 Infineon Technologies BSC0502NSIATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-6
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1600 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 26A (Ta), 100A (Tc)
Базовый номер продукта BSC0502

Рекомендуемые продукты

BSC0502NSIATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация