Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC046N10NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC046N10NS3GATMA1

Номер детали производителя BSC046N10NS3GATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-7
В наличии 3819 pcs
Техническая спецификация BSC046N10NS3 GPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014Mult Dev Wafer Chg 15/Jun/2018BSC046N10NS3 G EOL 24/Jul/2019
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3819 Infineon Technologies BSC046N10NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 120µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-7
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 156W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4500 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17A (Ta), 100A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSC046N10NS3GATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация