Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTMD2P01R2
NTMD2P01R2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTMD2P01R2

Номер детали производителя NTMD2P01R2
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 5118 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008Multiple Devices 30/Jun/2006onsemi REACHonsemi RoHSNTMD2P01R2
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5118 onsemi NTMD2P01R2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Мощность - Макс 710mW
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 750pF @ 16V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 16V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.3A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта NTMD2P

Рекомендуемые продукты

NTMD2P01R2 DataSheet PDF

Техническая спецификация