Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTMD2C02R2G
NTMD2C02R2G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTMD2C02R2G

Номер детали производителя NTMD2C02R2G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 5954 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008Multiple Devices 13/Apr/2009onsemi REACHonsemi RoHSNTMD2C02R2
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5954 onsemi NTMD2C02R2G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V
Мощность - Макс 2W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1100pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.2A, 3.4A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта NTMD2C

Рекомендуемые продукты

NTMD2C02R2G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTMD2C02R2G

Связанные детали для NTMD2C02R2G