Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > NSVMUN5312DW1T2G
NSVMUN5312DW1T2G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NSVMUN5312DW1T2G

Номер детали производителя NSVMUN5312DW1T2G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Упаковка SC-88/SC70-6/SOT-363
В наличии 766754 pcs
Техническая спецификация onsemi RoHSMUN5312DW1, NSBC124EPDxxBond Wire 15/Feb/2019
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.159 $0.13 $0.089 $0.066 $0.05
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 766754 onsemi NSVMUN5312DW1T2G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Тип транзистор 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства SC-88/SC70-6/SOT-363
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 22kOhms
Резистор - основание (R1) 22kOhms
Мощность - Макс 250mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход -
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта NSVMUN5312

Рекомендуемые продукты

NSVMUN5312DW1T2G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NSVMUN5312DW1T2G

Связанные детали для NSVMUN5312DW1T2G