Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > NSVMUN5116T1G-M02
onsemi

NSVMUN5116T1G-M02

Номер детали производителя NSVMUN5116T1G-M02
производитель onsemi
Подробное описание NSVMUN5116 - DIGITAL BJT PNP - P
Упаковка SC-70-3 (SOT323)
В наличии 2698961 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
7612
$0.015
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 2698961 onsemi NSVMUN5116T1G-M02 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SC-70-3 (SOT323)
Серии -
Резистор - основание (R1) 4.7 kOhms
Мощность - Макс 202 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-70, SOT-323
Упаковка Bulk
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта NSVMUN5116

Рекомендуемые продукты

NSVMUN5116T1G-M02 DataSheet PDF

Ключевые слова для NSVMUN5116T1G-M02

Связанные детали для NSVMUN5116T1G-M02