Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > NSBA115TDP6T5G
NSBA115TDP6T5G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NSBA115TDP6T5G

Номер детали производителя NSBA115TDP6T5G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Упаковка SOT-963
В наличии 2481432 pcs
Техническая спецификация Wire Bond 01/Dec/2010onsemi REACHonsemi RoHSNSBA115TDP6
Справочная цена (В долларах США)
8000 16000 24000 56000 200000
$0.026 $0.023 $0.022 $0.019 $0.019
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 2481432 onsemi NSBA115TDP6T5G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Тип транзистор 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства SOT-963
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) -
Резистор - основание (R1) 100kOhms
Мощность - Макс 408mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-963
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход -
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта NSBA115

Рекомендуемые продукты

NSBA115TDP6T5G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NSBA115TDP6T5G

Связанные детали для NSBA115TDP6T5G