Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > NSBA114YDXV6T1
NSBA114YDXV6T1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NSBA114YDXV6T1

Номер детали производителя NSBA114YDXV6T1
производитель onsemi
Подробное описание TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Упаковка SOT-563
В наличии 4838 pcs
Техническая спецификация NSBA114EDXV6T1,5 SeriesMultiple Devices 30/Jun/2006onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4838 onsemi NSBA114YDXV6T1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Тип транзистор 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства SOT-563
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47kOhms
Резистор - основание (R1) 10kOhms
Мощность - Макс 500mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход -
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта NSBA114

Рекомендуемые продукты

NSBA114YDXV6T1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NSBA114YDXV6T1

Связанные детали для NSBA114YDXV6T1