Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NDD60N900U1-35G

Номер детали производителя	NDD60N900U1-35G
производитель	onsemi
Подробное описание	MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
Упаковка	I-PAK
В наличии	6913 pcs
Техническая спецификация	NDD60N900U1 Mult Dev EOL 22/Dec/2017 onsemi REACH onsemi RoHS NDD60NYYY 25/Jan/2017

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6913 onsemi NDD60N900U1-35G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (макс.)	±25V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	I-PAK
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	74W (Tc)
Упаковка /	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	360 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.7A (Tc)
Базовый номер продукта	NDD60