Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NDD04N60Z-1G

Номер детали производителя	NDD04N60Z-1G
производитель	onsemi
Подробное описание	MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK
Упаковка	I-PAK
В наличии	5656 pcs
Техническая спецификация	NDx04N60Z onsemi REACH onsemi RoHS Mult Devices 29/Aug/2017 Mult Devices 01/Sep/2017

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5656 onsemi NDD04N60Z-1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Vgs (макс.)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	I-PAK
Серии	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	83W (Tc)
Упаковка /	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	640 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4.1A (Tc)
Базовый номер продукта	NDD04