Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > MJD112-1G
MJD112-1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MJD112-1G

Номер детали производителя MJD112-1G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 300167 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSMJD112,117Assembly/Test Site 17/Feb/2023
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.402 $0.358 $0.279 $0.231 $0.182 $0.17 $0.161 $0.155
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 300167 onsemi MJD112-1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Тип транзистор NPN - Darlington
Поставщик Упаковка устройства I-PAK
Серии -
Мощность - Макс 1.75 W
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Частота - Переход 25MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 20µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 2 A
Базовый номер продукта MJD112

Рекомендуемые продукты

MJD112-1G DataSheet PDF

Техническая спецификация