Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > MJD122T4
MJD122T4 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MJD122T4

Номер детали производителя MJD122T4
производитель onsemi
Подробное описание TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
Упаковка DPAK
В наличии 6117 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 07/Jul/2010onsemi REACHonsemi RoHSMJD122_127, NJVMJD122_127
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6117 onsemi MJD122T4 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 2V @ 15mA, 4A
Тип транзистор NPN - Darlington
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии -
Мощность - Макс 20 W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 4MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 10µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 8 A
Базовый номер продукта MJD12

Рекомендуемые продукты

MJD122T4 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MJD122T4

Связанные детали для MJD122T4