Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > FJV4107RMTF
FJV4107RMTF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FJV4107RMTF

Номер детали производителя FJV4107RMTF
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Упаковка SOT-23-3
В наличии 5801 pcs
Техническая спецификация FJV4107RMold Compound 12/Dec/2007onsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5801 onsemi FJV4107RMTF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 22 kOhms
Мощность - Макс 200 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 200 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта FJV410

Рекомендуемые продукты

FJV4107RMTF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FJV4107RMTF

Связанные детали для FJV4107RMTF