Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > FJV3113RMTF
FJV3113RMTF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FJV3113RMTF

Номер детали производителя FJV3113RMTF
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Упаковка SOT-23-3
В наличии 6384 pcs
Техническая спецификация Binary Year Code Marking 15/Jan/2014Mold Compound 12/Dec/2007Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 16/Jul/2019onsemi RoHSSOT23 Manufacturing Source 31/May2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6384 onsemi FJV3113RMTF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-3
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2 kOhms
Мощность - Макс 200 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 250 MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта FJV311

Рекомендуемые продукты

FJV3113RMTF DataSheet PDF

Техническая спецификация