Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FDG6304P-F169
FDG6304P-F169 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FDG6304P-F169

Номер детали производителя FDG6304P-F169
производитель onsemi
Подробное описание INTEGRATED CIRCUIT
Упаковка SC-70-6
В наличии 5969 pcs
Техническая спецификация FDG6304P1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018onsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5969 onsemi FDG6304P-F169 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-70-6
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Мощность - Макс 300mW
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 62pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 410mA (Ta)
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта FDG6304

Рекомендуемые продукты

FDG6304P-F169 DataSheet PDF

Техническая спецификация