Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FDG6303N_G
FDG6303N_G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FDG6303N_G

Номер детали производителя FDG6303N_G
производитель onsemi
Подробное описание INTEGRATED CIRCUIT
Упаковка SC-88 (SC-70-6)
В наличии 6430 pcs
Техническая спецификация Mult Devices 17/Apr/2017onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6430 onsemi FDG6303N_G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-88 (SC-70-6)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Мощность - Макс 300mW
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 50pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 500mA
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта FDG6303

Рекомендуемые продукты

FDG6303N_G DataSheet PDF

Техническая спецификация