Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NXPSC04650D6J

Номер детали производителя	NXPSC04650D6J
производитель	WeEn Semiconductors
Подробное описание	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Упаковка	DPAK
В наличии	36168 pcs
Техническая спецификация	NXPSC04650D All Device Label Chg 14/Feb/2020 EOL PCN_2023030004DN 24/Mar/2023 Mult Dev Site Add 23/Sep/2021

Справочная цена (В долларах США)

1
$0.93

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии WeEn Semiconductors.У нас есть кусочки 36168 WeEn Semiconductors NXPSC04650D6J в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если	1.7 V @ 4 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)	650 V
Технологии	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Поставщик Упаковка устройства	DPAK
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Серии	-
Обратное время восстановления (ТИР)	0 ns
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая температура - Соединение	175°C (Max)
Тип установки	Surface Mount
Ток - Обратный утечки @ Vr	170 µA @ 650 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)	4A
Емкостной @ В.Р., F	130pF @ 1V, 1MHz
Базовый номер продукта	NXPSC