Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SUD35N10-26P-GE3
Vishay Siliconix

SUD35N10-26P-GE3

Номер детали производителя SUD35N10-26P-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Упаковка TO-252AA
В наличии 88255 pcs
Техническая спецификация SUD35N10-26P
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.811 $0.73 $0.587 $0.482 $0.399
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 88255 Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252AA
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 12 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)
Базовый номер продукта SUD35

Рекомендуемые продукты

SUD35N10-26P-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SUD35N10-26P-GE3

Связанные детали для SUD35N10-26P-GE3