Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQM200N04-1M7L_GE3
Vishay Siliconix

SQM200N04-1M7L_GE3

Номер детали производителя SQM200N04-1M7L_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Упаковка TO-263-7
В наличии 38135 pcs
Техническая спецификация New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015SQM200N04-1M7L-GE3
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$1.244 $1.116 $0.914
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 38135 Vishay Siliconix SQM200N04-1M7L_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-263-7
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 375W (Tc)
Упаковка / TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 11168 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 291 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200A (Tc)
Базовый номер продукта SQM200

Рекомендуемые продукты

SQM200N04-1M7L_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация