Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQJQ402E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ402E-T1_GE3

Номер детали производителя SQJQ402E-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Упаковка PowerPAK® 8 x 8
В наличии 71642 pcs
Техническая спецификация Process Change 11/Apr/2023SQJQ402E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.168 $1.05 $0.844 $0.693 $0.575
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 71642 Vishay Siliconix SQJQ402E-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 8 x 8
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 8 x 8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 13500 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200A (Tc)
Базовый номер продукта SQJQ402

Рекомендуемые продукты

SQJQ402E-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация