Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQD50N04-09H-GE3
Vishay Siliconix

SQD50N04-09H-GE3

Номер детали производителя SQD50N04-09H-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Упаковка TO-252AA
В наличии 4464 pcs
Техническая спецификация SQD50N04-09HSIL-055-2014-Rev-1 25/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4464 Vishay Siliconix SQD50N04-09H-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252AA
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Cut Tape (CT)
Тип установки Surface Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4240 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта SQD50N

Рекомендуемые продукты

SQD50N04-09H-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация