Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SQ4435EY-T1_GE3
SQ4435EY-T1_GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SQ4435EY-T1_GE3

Номер детали производителя SQ4435EY-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 148994 pcs
Техническая спецификация SQ4435EY
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.542 $0.485 $0.378 $0.312 $0.247
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 148994 Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 6.8W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2170 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Tc)
Базовый номер продукта SQ4435

Рекомендуемые продукты

SQ4435EY-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SQ4435EY-T1_GE3

Связанные детали для SQ4435EY-T1_GE3