Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SQ1912EH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1912EH-T1_GE3

Номер детали производителя SQ1912EH-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
Упаковка SC-70-6
В наличии 697046 pcs
Техническая спецификация SQ1912EH
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.167 $0.136 $0.093 $0.07 $0.052
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 697046 Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-70-6
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Мощность - Макс 1.5W
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 75pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 1.15nC @ 4.5V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 800mA (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SQ1912

Рекомендуемые продукты

SQ1912EH-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SQ1912EH-T1_GE3

Связанные детали для SQ1912EH-T1_GE3