Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIS407ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS407ADN-T1-GE3

Номер детали производителя SIS407ADN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 255278 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023SIS407ADN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.314 $0.276 $0.211 $0.167 $0.134
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 255278 Vishay Siliconix SIS407ADN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5875 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 168 nC @ 8 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта SIS407

Рекомендуемые продукты

SIS407ADN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIS407ADN-T1-GE3

Связанные детали для SIS407ADN-T1-GE3