Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIR4606DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR4606DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIR4606DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 162245 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023SiR4606DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.474 $0.423 $0.33 $0.273 $0.215
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 162245 Vishay Siliconix SIR4606DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 540 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.5A (Ta), 16A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIR4606DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация