Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHP33N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP33N60E-GE3

Номер детали производителя SIHP33N60E-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 41416 pcs
Техническая спецификация Packaging InformationMult Dev Material Chg 30/Aug/2019SiHP33N60E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$2.27 $2.04 $1.671 $1.423 $1.2 $1.14
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 41416 Vishay Siliconix SIHP33N60E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 278W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3508 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 33A (Tc)
Базовый номер продукта SIHP33

Рекомендуемые продукты

SIHP33N60E-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHP33N60E-GE3

Связанные детали для SIHP33N60E-GE3