Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHP18N60E-GE3
SIHP18N60E-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SIHP18N60E-GE3

Номер детали производителя SIHP18N60E-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 55556 pcs
Техническая спецификация SIHP18N60E
Справочная цена (В долларах США)
1000
$0.676
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 55556 Vishay Siliconix SIHP18N60E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 202mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 179W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1640 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта SIHP18

Рекомендуемые продукты

SIHP18N60E-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHP18N60E-GE3

Связанные детали для SIHP18N60E-GE3