Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

Номер детали производителя SIHH24N65EF-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Упаковка PowerPAK® 8 x 8
В наличии 23201 pcs
Техническая спецификация SIHH24N65EF
Справочная цена (В долларах США)
3000
$1.691
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 23201 Vishay Siliconix SIHH24N65EF-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 8 x 8
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 202W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2780 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 23A (Tc)
Базовый номер продукта SIHH24

Рекомендуемые продукты

SIHH24N65EF-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация