Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHD6N62ET1-GE3
Vishay Siliconix

SIHD6N62ET1-GE3

Номер детали производителя SIHD6N62ET1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Упаковка TO-252AA
В наличии 141380 pcs
Техническая спецификация Reel Design Change 29/Dec/2022SIHD6N62E-GE3
Справочная цена (В долларах США)
2000
$0.277
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 141380 Vishay Siliconix SIHD6N62ET1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252AA
Серии E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 78W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 578 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 620 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Tc)
Базовый номер продукта SIHD6

Рекомендуемые продукты

SIHD6N62ET1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация