Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHA25N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHA25N50E-GE3

Номер детали производителя SIHA25N50E-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание N-CHANNEL 500V
Упаковка TO-220 Full Pack
В наличии 49913 pcs
Техническая спецификация SiHA25N50E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.251 $1.124 $0.921 $0.784
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 49913 Vishay Siliconix SIHA25N50E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220 Full Pack
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 35W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1980 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 26A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIHA25N50E-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHA25N50E-GE3

Связанные детали для SIHA25N50E-GE3