Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHA11N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHA11N80E-GE3

Номер детали производителя SIHA11N80E-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Упаковка TO-220 Full Pack
В наличии 66072 pcs
Техническая спецификация SIHA11N80E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.254 $1.128 $0.924 $0.786 $0.663 $0.63 $0.606
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 66072 Vishay Siliconix SIHA11N80E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220 Full Pack
Серии E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 34W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1670 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Tc)
Базовый номер продукта SIHA11

Рекомендуемые продукты

SIHA11N80E-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHA11N80E-GE3

Связанные детали для SIHA11N80E-GE3