Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIF912EDZ-T1-E3
Vishay Siliconix

SIF912EDZ-T1-E3

Номер детали производителя SIF912EDZ-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Упаковка PowerPAK® (2x5)
В наличии 6844 pcs
Техническая спецификация SIF912EDZMaterial Compliance
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6844 Vishay Siliconix SIF912EDZ-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® (2x5)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Мощность - Макс 1.6W
Упаковка / PowerPAK® 2x5
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.4A
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта SIF912

Рекомендуемые продукты

SIF912EDZ-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация