Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIE812DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE812DF-T1-GE3

Номер детали производителя SIE812DF-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
Упаковка 10-PolarPAK® (L)
В наличии 61159 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.421 $1.276 $1.046 $0.89 $0.751
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 61159 Vishay Siliconix SIE812DF-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 10-PolarPAK® (L)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Упаковка / 10-PolarPAK® (L)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 8300 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Базовый номер продукта SIE812

Рекомендуемые продукты

SIE812DF-T1-GE3 DataSheet PDF

Ключевые слова для SIE812DF-T1-GE3

Связанные детали для SIE812DF-T1-GE3